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CST クリーンサアフェイス技術株式会社

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膜の種類
記 号
タイプ

C
クロム

C


記 号
タイプ

L
低反射

L

■ ZF11
CSTは高精細マスクに対応する膜応力によるフラットネスの変化を0に近づけた膜を開発しました。
その特性は、

1)パターン断面を滑らかな順テーパにし、サイドエッチング量も小さくサブミクロンのパターン形成が容易になります。
2)スパッター時の発塵を抑え、ハーフピン等欠陥を従来製品の2桁減少させました。
3)成膜前後でのフラットネスの変化を従来の1/5以下に抑え、0をも可能にしました。
4)欠陥を抑制する膜構成により、基板キズ等による滲み込み欠陥を減少できます。

▼【資料室へ】
● ZF11のエッチング特性
● 追加エッチング時間とパターン減少幅

■ ZF11パターン断面構造の改善
パターン断面を順テーパーにしその角度を直立から緩やかなテーパーまで制御できる成膜方法を確立します。 また追加エッチングをしてもその断面形状に変化なく最少のサイドエッチングを保つブランクスです。

▼【資料室へ】
● ZF11のSEM写真

■ ZF11成膜前後のフラットネス変化を最少に
成膜前後でのフラットネス変化を極力0に近づけ基板自身のフラットネスを変化させないブランクスです。
一般にCr膜は膜自身縮む応力が強く、酸化膜は伸びる応力が働きます。そこでCrの応力を緩和させ、又酸化膜では応力を強め応力のバランスを取った膜としています。

▼【資料室へ】
● CS8膜でのフラットネス変化(1220×1400×13t)
● ZF11 膜でのフラットネス変化(1220×1400×13t)
● 800×920×8tでのフラットネス変化

■ ZF11膜の品質
ピンホールは今までの膜種でも低レベルでですがハーフピンは多くありました。
自社での比較ですが大型基板では2µ以上のハーフピンは従来膜種の1/10〜1/100になり総数でも数個のレベルになりました。





記 号
タイプ

LP
低反射(膜面紺色)

LP


記 号
タイプ

T
表裏面低反射(金茶)

T


記 号
タイプ

M
表裏面低反射(裏面紺色)

M


記 号
タイプ

MP
表裏面低反射(表裏面紺色)

MP



■ ハーフトーン・フラットハーフトーン膜
CSTハーフトーン膜は2002年よりトップ型のハーフトーン膜として実際の工程に使われ始めました。
以来多くお客様からのご要望にお応えして2300枚に及ぶ数量をてがけてきました。

【資料室】 HT と FHT

● 実績サイズ
6025〜G8(1220×1400)まで多数実績があります。

● 概略仕様
 
HTタイプ
FHTタイプ
 

透 過 率
30 〜 70%
10 〜 40%
ご 指 定

平 均 値
± 1%
± 1%
目 標 値

レ ン ジ
1% 以下
1% 以下
目 標 値


● 透過率分布の一例

基板サイズ:G8(1220×1400mm)
透過率:G線 16.5%
平均値
16.5

レンジ
1.3

最 大
17.3

最 小
16.1


mm
50
150
250
350
450
550
650
750
850
950
1050
1150
1250
1350

50
16.8
16.5
16.4
16.3
16.3
16.4
16.3
16.3
16.4
16.4
16.4
16.5
16.5
16.7

150
16.7
16.4
16.3
16.2
16.2
16.2
16.2
16.2
16.2
16.2
16.3
16.4
16.4
16.6

250
17.1
16.8
16.6
16.6
16.5
16.5
16.5
16.5
16.5
16.6
16.6
16.8
16.8
17.1

350
17.0
16.7
16.5
16.5
16.4
16.4
16.4
16.3
16.4
16.4
16.5
16.7
16.7
17.0

455
16.9
16.6
16.4
16.2
16.2
16.2
16.1
16.1
16.1
16.2
16.3
16.5
16.6
16.9

560
17.1
16.7
16.5
16.4
16.3
16.3
16.2
16.2
16.2
16.3
16.4
16.6
16.7
17.0

660
17.1
16.7
16.5
16.4
16.3
16.2
16.2
16.2
16.2
16.3
16.4
16.5
16.6
16.9

765
17.0
16.6
16.4
16.3
16.2
16.2
16.2
16.1
16.2
16.2
16.3
16.5
16.6
16.9

865
17.3
17.0
16.8
16.7
16.6
16.5
16.5
16.5
16.5
16.5
16.6
16.8
16.8
17.0

970
17.3
17.0
16.8
16.7
16.6
16.5
16.5
16.5
16.5
16.5
16.6
16.7
16.8
17.0

1070
16.9
16.6
16.4
16.3
16.2
16.2
16.1
16.1
16.1
16.1
16.2
16.3
16.3
16.5

1170
17.0
16.8
16.6
16.4
16.4
16.4
16.2
16.2
16.3
16.2
16.3
16.5
16.5
16.6



【資料室】 トップ型/ボトム型 ハーフトーンマスク


■ EP膜(帯電防止膜)
CSTは帯電防止ブランクスのさらなる大型化を目指し、2013年11月度より板厚5tでは1300×2100、
板厚13tでは1220×1400サイズ迄対応可能となりました。

帯電防止ブランクスに要求される、次の条件をEP膜は満たしています。

  1.  1. 遮光層(Cr)のエッチング液に侵されない。
  2.  2. 露光に必要な透過量が確保されている。
  3.  3. 成膜によるピンホール・異物欠陥がない。
  4.  4. ガラス及び遮光層との密着性が優れている。
  5.  5. 長期間にわたり導電性が保持されている。
  6.  6. 耐薬品性にすぐれている。(マスク洗浄に使われる薬品に対して)

● 帯電防止EP膜の耐薬品性
クロムエッチャント浸漬5分間
判 定

硫酸浸漬1時間
判 定

硝酸浸漬1時間
判 定

25%苛性ソーダ浸漬1時間
判 定



● 帯電防止ブランクスの膜構成






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